2nm芯片制造工艺实现技术“突破”华人科学家和微波炉立大功

  但就在不久前，对于2nm芯片的研发传来利好消息，最艰难的技术工艺已经被攻克，其中一位华人科学家做出了重要的贡献，甚至不起眼的微波炉都在其中起到了至关重要的作用。

  那么2nm制程芯片研发究竟突破了哪项技术难点？这位华人科学家又是谁，微波炉又在其中起到了怎样至关重要的作用呢？

  目前台积电与三星都已完成了对于3nm制程芯片的突破，其中三星良品率相比来说较低，还未投产，但是台积电的3nm制程工艺已经具备了投产条件，并且双方都在2nm芯片研发领域投入了大量的时间以及精力。

  但是出乎所有人预料的是，最先实现2nm制程芯片突破的却不是三星与台积电，而是美国的康奈尔大学。根据报道，美国康奈尔大学根据微波炉的工作原理，发明了一项特殊的微波炉装置，利用其成功实现了2nm芯片制程的研发。

  微波炉工作原理之所以可以被应用在芯片研发领域，是因为芯片制造工程中，对于硅基芯片中磷元素的含量以及纯度很有高的要求。因为磷元素具备良好的导电性以及导热性，硅基芯片中磷元素的含量，可以说直接控制了芯片的性能优劣。

  但是高精度的芯片体积很微小，传统的退火方法并不适用，而微波炉的工作原理，通过振动的方式将磷元素加入到硅基芯片中，得以提高芯片的性能，助力2nm制程芯片实现突破。而令人惊讶的是，这项工作的主要负责人是一位叫做James Hwang的华裔教授，那么此人又是何方神圣呢？

  根据相关媒体的资料，这位James Hwang是一位来自台湾的科学家，早年就读于立大学，学习的物理学专业，并且在1973年之后便来到了美国的康奈尔大学进行学习，并且取得了材料科学的硕士学位。

  James Hwang的工作履历同样十分丰富，在毕业后，他先后在IBM、贝尔实验室、通用电气等企业工作过，后来又考入了利哈伊大学进行深造，并且与合伙人共同创办了上市公司IQE，还担任美国康奈尔大学的教授，可谓是人中龙凤。

  而James Hwang介绍，根据康尔达大学实现的技术突破，该项技术或将在2025年的时候完全成熟，彼时将会实现2nm芯片工艺的量产。因为技术的更迭换代，或将逐步提升此前芯片的性能，或将引领新一轮的芯片发展革命。那么2nm制程芯片的量产，将对中国与全球半导体产业造成怎样的影响呢？

  虽然2nm制程芯片工艺的突破对于世界半导体产业高质量发展来说是好消息，但对于中国半导体产业来说却并不见得。因为实现技术突破的并不是台积电与三星，而是美国。

  众所周知，因为中国以华为为首麒麟芯片的崛起，令美国感到了危机，因此导致中国芯片产业被美国限制，如今依然是夹缝中求生，但是仍旧实现了中低端芯片自给自足的奇迹。并且令美国产生了大量的芯片积压。

  为了限制中国中低端芯片产业高质量发展，美国意欲勾结中国台湾、日本与韩国成立四方联盟，限制中国芯片发展，但由于中国大陆是全球最大的芯片需求市场，各方对加入四方联盟保持怀疑态度。但是随着美国2nm制程芯片的技术突破，三星与台积电或将改变态度。

  三星与台积电代表着当下全球芯片制程最精尖的技术工艺，但二者也是十分激烈的竞争对手，可以说谁先掌握了2nm芯片制程工艺，就能在未来的芯片市场之间的竞争中占据主动。随着二者加入四方联盟，中国半导体发展境况只会愈发艰难。

  因此，中国半导体产业想要求得一线生机，未来一定要坚持技术创新，积极寻求发展之路。

  2nm芯片工艺制程技术突破，是世界半导体产业的好消息，却可能进一步限制中国半导体产业的发展，因此中国只能加大对于半导体产业的技术投入，增强自主创新，才有机会求得一线nm制程芯片工艺技术突破，大家有什么想说的？大家认为中国未来可以在一定程度上完成芯片自主生产吗？欢迎在评论区进行留言讨论。